国家知识产权局信息显示股票杠杆资金，上海贝岭股份有限公司申请一项名为“碳化硅MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN122871688A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本公开提供了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，该碳化硅MOSFET器件中的源极、接触区、P‑well区、电流扩展层、外延层堆叠设置；多级沟槽栅结构贯穿接触区、P‑well区以及电流扩展层；多级沟槽栅结构的中包括第一栅极和屏蔽层；第一栅极与P‑well区相邻；屏蔽层位于第一栅极与源极之间的区域，以及其余沟槽的外部区域，且屏蔽层与源极接触；第一栅极用于在施加电压时，与P‑well区形成导电沟道；屏蔽层用于在该器件处于高压阻断状态时，引入横向电场，减少栅氧拐角处的电场尖峰。通过多级沟槽栅结构可以使得该器件在保持优异导通能力的同时，还能提升了栅氧可靠性，进而实现了高效和高可靠性的统一。
天眼查资料显示，上海贝岭股份有限公司，成立于1988年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本70892.3303万人民币。通过天眼查大数据分析，上海贝岭股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目146次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息691条，此外企业还拥有行政许可72个。
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